SAM半導體可飽和吸收鏡的微觀(guān)特性：

　　1、能帶間隙即禁帶寬度。它決定半導體可飽和吸收體的吸收波長(cháng)，吸收系數一般在104/cm左右。以III-V族化合物半導體為例,吸收帶一般在可見(jiàn)光和近紅外波段。為了適應各種吸收波長(cháng)的需要，常常要用三元化合物半導體,如砷化鎵鋁(AlGaAs)，砷化銦鎵(InGaAs)，砷化銦鋁(InAlAs)等。

　　

　　2、晶格常數。半導體可飽和吸收體一般是用外延法生長(cháng)在半導體襯底上的，襯底的晶格常數與要生長(cháng)的半導體化合物的晶格常數原則上應該相同，若不一致，則會(huì )在生長(cháng)層上造成一定應變(strain)，可分為壓縮型和擴張型。無(wú)論那種類(lèi)型的應變都會(huì )影響禁帶寬度，因而禁帶寬度的改變不是任意的，要受襯底晶格常數的制約。

　　

　　3、量子阱。當吸收體薄到一定程度，并被夾在高禁帶寬度的材料中間，就變成了所謂量子阱。在設計半導體可飽和吸收體時(shí)，根據吸收能量的大小，可以采用體吸收，也可以采用量子阱結構。對于利用克爾效應鎖模的激光器，僅僅需要百之零點(diǎn)幾至百分之幾的吸收，所以可飽和吸收體的厚度只需要幾個(gè)nm。

　　

　　4、時(shí)間特性。半導體可飽和吸收體之所以可以啟動(dòng)鎖模，是因為它的高速時(shí)間特性。一般來(lái)說(shuō)半導體的吸收有兩個(gè)特征弛豫時(shí)間，一是帶內子帶之間的熱化(intrabandthermalization)，二是帶間躍遷(interbandtransition)。帶內熱化是被激發(fā)到導帶的電子向子帶躍遷的物理過(guò)程，這個(gè)時(shí)間很短，在100-200fs左右，而帶間躍遷時(shí)間是電子從導帶向價(jià)帶的躍遷，相對較長(cháng)，從幾ps到幾百ps。