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太赫茲功率計選型推薦,太赫茲探測器歸類(lèi)對比

更新時(shí)間:2024-01-04      點(diǎn)擊次數:925

      太赫茲探測也是太赫茲技術(shù)中的另一項關(guān)鍵技術(shù),是太赫茲技術(shù)投入到實(shí)際應用的另一關(guān)鍵環(huán)節。由于目前太赫茲輻射源的功率普遍都比較低,因此發(fā)展高靈敏度、高信噪比的太赫茲探測技術(shù)尤為重要。太赫茲的探測方法比較多,對于脈沖太赫茲的探測目前已經(jīng)廣泛使用的方法有光電導天線(xiàn)探測和電光采樣兩種方式。本文主要歸類(lèi)整理對于連續波太赫茲的探測方法,主要有測輻射熱計(bolometer)太赫茲探測器,高萊盒探測器,太赫茲光聲探測器,熱釋電探測器,熱電探測器,亞太赫茲超快探測器。這些探測器性能各有不同,可應用于不同環(huán)境??蒲袑?shí)驗研究中往往需要根據自己的太赫茲源選擇合適的太赫茲探測器。


      

主要探測器性能對比


頻率范圍響應度噪聲等效功率(NEP)響應時(shí)間外形尺寸,特殊要求
測輻射熱計太赫茲探測器0.1-20THz2.4×105V/W
10-13W/Hz1/2ns體積大,需要冷卻
高萊盒太赫茲功率計/探測器0.05-20THz1.4×105V/W 
10-9W/Hz1/2
ms體積小
熱電太赫茲功率計0.3-10THz1×105V/W
10-9W/Hz1/2
ms-s體積小
太赫茲超快探測器0.05-0.7THz1V/W 
10-9W/Hz1/2
ps體積微小,需接示波器








>> 高萊盒太赫茲探測器 Golay Cell

     用高萊盒探測器(Golay Cell)探測太赫茲輻射。其原理是:當太赫茲輻射通過(guò)接受窗口照射到吸收薄膜上時(shí),吸收薄膜將能量傳遞給與之相連的氣室,使氣體溫度和氣壓升高,以此驅動(dòng)與氣室相連的反射鏡膨脹偏轉,通過(guò)光學(xué)方法檢測反射鏡移動(dòng)量,能間接地測量太赫茲的輻射量。


高萊盒參數\型號Golay Cell (GC-1P)Golay Cell (GC-1T)
Golay Cell (GC-1D)
入射窗材料高密度聚乙烯(HDPE)聚4-甲基戊烯(TPX)
金剛石(Diamond)
工作波長(cháng)15-8000um0.3-6.5um&13-8000um0.4-8000um
入射錐直徑11mm
入射窗直徑6mm
額定探測功率<10uW,更大功率需要衰減器
調制頻率15±5Hz
光學(xué)響應典型值:1×105V/W
響應速度典型值:30ms
等效噪聲功率典型值NEP=1.4×10-10W/Hz1/2
操作溫度5-40℃
尺寸L×W×H=126×45×87mm3
應用中紅外和THz紫外-近紅外和THz可見(jiàn)光-太赫茲


















>> 熱釋電太赫茲探測器/太赫茲功率計

      熱釋電太赫茲探測器/太赫茲功率計是利用利用熱釋電材料的自發(fā)極化強度隨溫度而變化的效應制成的一種熱敏型紅外探測器。熱釋電材料是一種具有自發(fā)極化的電介質(zhì),它的自發(fā)極化強度隨溫度變化。如果把熱釋電材料做成表面垂直于極化方向的平行薄片,當紅外太赫茲輻射入射到薄膜表面時(shí),薄片因吸收輻射而發(fā)生溫度變化,引起極化強度的變化。而中和電荷由于材料的電阻率跟不上這一變化,其結果是薄片的兩表面之間出現瞬態(tài)電壓,若有外電阻跨接在兩表面之間,電荷就通過(guò)外電路形成電流,電流的大小與熱釋電系數成正比,還與薄膜的溫度變化成正比,可用來(lái)測量THz輻射的強度。

 

太赫茲功率計參數\型號3A-P-THZRM9-THZTHZ5I-BL-BNC
THZ9B-BL

攝入孔徑12mm8mm9mm5mm9mm
測量光譜范圍0.3-10THz0.1-30THz0.1-30THz0.1-30THz
0.1-30THz
功率測量范圍15uW-3W100nW-100mWup to 25mWup to 140uWup to 150nW
噪聲水平4uW20nW300nW1nW3nW
響應時(shí)間0.2s3.5s0.2s0.2s
0.2s
調制頻率N/A無(wú)需斬波調制18Hz10Hz5Hz5Hz/25Hz

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