LT-GaAs低溫砷化鎵基片外延生長(cháng)定制

GaAs砷化鎵是Ⅲ-Ⅴ族元素化合物，黑灰色固體，熔點(diǎn)1238℃。它在600℃以下能在空氣中穩定存在，并且不為非氧化性的酸侵蝕。砷化鎵可作半導體材料，其電子遷移率高、介電常數小，能引入深能級雜質(zhì)、電子有效質(zhì)量小，能帶結構特殊，可作外延片。

1、半導體光電子器件結構生長(cháng)

我們可在GaAs砷化鎵基底上生長(cháng)高質(zhì)量AlAs、GaAs、InAs、AlGaAs、AlInAs和InGaAs材料外延薄膜層，適用于不同應用。

2、低溫砷化鎵

對于某些應用需要快速響應裝置，例如光學(xué)探測器、可飽和吸收器 或光電導天線(xiàn)。我們提供低溫外延生長(cháng)器件，響應時(shí)間短至1  ps。

我們可提供以下在GaAs襯底上生長(cháng)的一個(gè)或兩個(gè)單層的低溫砷化鎵。

低溫砷化鎵基片外延生長(cháng)定制參數如下：

• 砷化鎵晶片直徑：2" 或4"

• 最大薄膜疊層厚度：5 μm

規格：

• LT-GaAs-50.8：2"（50.8 mm）LT-GaAs晶片

• LT-GaAs-100：4"（100 mm）LT-GaAs晶片

• LT-InGaAs-100：4"（100  mm）LT-InGaAs晶圓片

• LT-GaA-100-C：具有定制金屬結構的4"（100  mm）LT-GaAs晶圓片