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簡(jiǎn)要描述：砷化鋁/砷化鎵布拉格反射鏡AlAs/GaAs Bragg mirrors可用芯片尺寸：? 4.0mmx 4.0mm? 2.0mm×2.0mm?1.3mm×1.3mm可根據要求定制尺寸
產(chǎn)品型號：B-M-1030更新時(shí)間：2024-12-26訪(fǎng) 問(wèn) 量：930產(chǎn)品分類(lèi)
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| 品牌 | BATOP | 產(chǎn)地類(lèi)別 | 進(jìn)口 |
|---|---|---|---|
| 應用領(lǐng)域 | 電子 |
詳細介紹
砷化鋁/砷化鎵布拉格反射鏡AlAs/GaAs Bragg mirrors
如果需要尺寸僅為幾毫米的非常小的高反射鏡，選用在GaAs芯片上的單晶AlAs / GaAs布拉格反射鏡是比較合適的。
作為襯底的單晶GaAs砷化鎵晶片具有非常光滑的表面和55W /（m * K）的良好導熱率。它可以被切成小的方塊或矩形芯片。
我們提供未安裝的布拉格反射鏡，標準基板厚度為450um。
可用芯片尺寸：
• 4.0mmx 4.0mm
• 2.0mm×2.0mm
•1.3mm×1.3mm
可根據要求定制尺寸
1030nm 砷化鋁/砷化鎵布拉格反射鏡AlAs/GAAs Bragg mirrors
| BM-1030nm-4x4 | BM-1030nm-2x2 | BM-1030nm-1.3x1.3 |
| •GaAs上的單晶AlAs / GaAs布拉格反射鏡 •中心波長(cháng)λ= 1030 nm •芯片面積：4 mm x 4 mm •芯片厚度：450μm • Data sheet (pdf) | •GaAs上的單晶AlAs / GaAs布拉格反射鏡 •中心波長(cháng)λ= 1030 nm •芯片面積：2 mm x 2 mm •芯片厚度：450μm • Data sheet (pdf) | •GaAs上的單晶AlAs / GaAs布拉格反射鏡 •中心波長(cháng)λ= 1030 nm •芯片面積：1.3 mm x 1.3 mm •芯片厚度：450μm • Data sheet (pdf) |
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