產(chǎn)品簡(jiǎn)介

       GaSe硒化鎵晶體是一種暗棕色閃光的片狀晶體。相對密度5.03，熔點(diǎn)(960±10)℃。GaSe和GaS一樣是層狀結構半導體，隨著(zhù)溫度的降低，GaSe光電效應最大值向短波方向移動(dòng)。硒化鎵作為一種非線(xiàn)性晶體和光電導體，通常被應用于這些方面：于CO₂激光器的二次諧波的產(chǎn)生，CO₂激光器頻率上轉換至近紅外或可見(jiàn)光，中紅外波段的光學(xué)混頻，以及5.5um-18.0um中紅外波段的的不同頻率的產(chǎn)生。同時(shí)GaSe晶體也可以被用來(lái)產(chǎn)生太赫茲輻射。

  GaSe（硒化鎵晶體）的太赫茲振蕩能達到有非常寬的頻域，至41THz。GaSe硒化鉀晶體是負單軸層狀半導體晶體，擁有六邊形結構的62m空間點(diǎn)群，300K時(shí)禁帶寬度為2.2eV。GaSe硒化鉀晶體抗損傷閾值高，非線(xiàn)性系數大（54pm/V），非常合適的透明范圍，以及超低的吸收系數，這使其成為中紅外寬帶電磁波振蕩的非常重要的解決方案。因寬帶太赫茲振蕩和探測使用的是低于20飛秒的激光光源，GaSe發(fā)射-探測系統能獲得與ZnTe可比的甚至更好的結果。通過(guò)對GaSe硒化鉀晶體厚度的選取，我們可以實(shí)現對THz波的頻率可選擇性控制。

注：GaSe硒化鉀晶體的解理面為(001)，因此對該晶體使用的一個(gè)很大限制在于質(zhì)軟，易碎。